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| 报告主题： |
院士报告会——我国产业结构调整与集成电路设计产业的发展 |
| 报 告 人： |
王阳元 |
| 职 务： |
中国科学院院士 |
| 职 称： |
教授 |
| 工作单位： |
北京大学电子学研究院院长 |
| 报告时间： |
5月8日（周五）上午10时 |
| 报告地点： |
二教报告厅 |
| 参加人数： |
300 |
| 主办单位： |
科技处 |
| 报告简介： |
王阳元院士简介：1935年1月出生，浙江宁波人。1958年毕业于北京大学物理系；1958年至今在北京大学工作，1982年至1983年美国加州大学伯克利分校高级访问学者。1995年当选为中国科学院信息技术科学部院士。王阳元现为北京大学电子学研究院院长、微电子学研究院首席科学家。
王阳元主要从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪70年代主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器,是我国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜"应力增强"氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，被国际同行认为"对许多研究者都有重要意义"，"对实践有重要的指导意义"。研究了硅化物薄膜及深亚微米CMOS电路的硅化物／多晶硅复合栅结构；发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用；90年代在SOI/CMOS器件方面，提出了器件浮体效应模型的工艺设计技术。研究成功了多种新型器件和电路；与合作者一起提出了多晶硅发射极晶体管的新的解析模型，开发了成套的先进工艺技术，对独立自主发展我国集成电路产业有重要意义。90年代后期研究微机电系统（MEMS），任国家重点实验室主任，主持开发了三套具有自主知识产权的MEMS工艺，开发了多种新型器件并向产业转化，获得一批发明专利。近期又致力于研究纳米级集成电路。在任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列。为推动我国微电子产业的发展，作为发起人之一，创建中芯国际集成电路制造有限公司，领导建设成功了我国第一条12英寸纳米级集成电路生产线，使我国集成电路大生产技术水平处于国际先进水平。 |
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